机译:具有alGaN背势垒的Lg 50 nm InalN / alN / GaN HEmT的静态和动态特性,适用于高功率毫米波应用
机译:L
机译:具有AlGaN背栅的30 nm T栅极InAlN / GaN HEMT的设计和分析,用于大功率微波应用
机译:毫米波功率应用中具有U型栅脚的AlGaN / GaN HEMT的击穿特性的改善
机译:AlGaN / AlN / GaN HEMT的微波功率特性仿真
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:γ辐射对AlGaN / GaN功率HEMT中动态RDSON特性的影响
机译:Algan / Ingan / GaN和Inaln / Ingan / GaN HEMTS的设计与分析,高功率宽带宽应用